FDC645N
Symbol Micros:
TFDC645N
Obudowa: TSOT23-6
N-MOSFET 5.5A 30V 0.8W 0.026Ω
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 800mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC645N
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1809 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDC645N
Obudowa dokładna: TSOT23-6
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0695 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 800mW |
| Obudowa: | TSOT23-6 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |