FDC6561AN

Symbol Micros: TFDC6561AN
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOT23-6
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
2N-MOSFET 2.5A 30V 0.7W 0.095Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TSOT23-6
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6  
Magazyn zewnetrzny:
144000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7383
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8288
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDC6561AN Obudowa dokładna: TSOT23-6  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8224
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 95mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,5A
Maksymalna tracona moc: 700mW
Obudowa: TSOT23-6
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta