FDC658AP

Symbol Micros: TFDC658AP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TSOT23-6
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: TSOT23-6
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDC658AP RoHS Obudowa dokładna: TSOT23-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1100+
cena netto (PLN) 1,4000 0,9190 0,6590 0,5760 0,5390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1100
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: TSOT23-6
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta