FDD13AN06A0 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD13an06a0
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 34mOhm; 50A; 115W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 34mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 115W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDD13AN06A0 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,2300 5,7300 4,8800 4,4800 4,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDD13AN06A0 Obudowa dokładna: DPAK  
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 34mOhm
Maksymalny prąd drenu: 50A
Maksymalna tracona moc: 115W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD