FDD306P ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD306P
Obudowa: DPAK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 90mOhm; 6,7A; 52W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDD306P RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0800 | 1,9500 | 1,5400 | 1,4000 | 1,3400 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDD306P
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5766 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 90mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 52W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |