FDD306P ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD306P
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 90mOhm; 6,7A; 52W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,7A
Maksymalna tracona moc: 52W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDD306P RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0800 1,9500 1,5400 1,4000 1,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,7A
Maksymalna tracona moc: 52W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD