FDD3860 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD3860
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 64mOhm; 29A; 83W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 64mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD3860 RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3700 | 2,8800 | 2,5700 | 2,2100 | 2,0800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 64mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |