FDD3N50NZTM ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD3n50nztm
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 2,5Ohm; 2,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD3N50NZTM RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 10+ | 50+ | 250+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9800 | 2,9500 | 2,4800 | 1,9300 | 1,7300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 40W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |