FDD4141

Symbol Micros: TFDD4141
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18,7mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 58A
Maksymalna tracona moc: 69W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDD4141 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3223
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDD4141 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4691
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 18,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 58A
Maksymalna tracona moc: 69W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta