FDD6690A ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD6690a
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 46A; 56W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 46A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD6690A RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4900 | 3,3000 | 2,6500 | 2,2700 | 2,1400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 46A |
| Maksymalna tracona moc: | 56W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |