FDD6690A ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD6690a
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 46A; 56W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 46A |
Maksymalna tracona moc: | 56W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDD6690A RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,4900 | 3,3000 | 2,6500 | 2,2700 | 2,1400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 19mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 46A |
Maksymalna tracona moc: | 56W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |