FDD6690A ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD6690a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 46A; 56W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalny prąd drenu: 46A
Maksymalna tracona moc: 56W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDD6690A RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4900 3,3000 2,6500 2,2700 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 19mOhm
Maksymalny prąd drenu: 46A
Maksymalna tracona moc: 56W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD