FDD7N25LZTM
Symbol Micros:
TFDD7n25lztm
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 570mOhm; 6,2A; 56W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 570mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
Maksymalna tracona moc: | 56W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 570mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6,2A |
Maksymalna tracona moc: | 56W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |