FDD8451 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD8451
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 41mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 41mOhm
Maksymalny prąd drenu: 28A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDD8451 RoHS Obudowa dokładna: DPAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,5600 3,3400 2,6800 2,3000 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 41mOhm
Maksymalny prąd drenu: 28A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD