FDG6301N

Symbol Micros: TFDG6301N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-6
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SC-70-6
Producent: ONSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDG6301N RoHS 01. Obudowa dokładna: SC70-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
480 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 480+
cena netto (PLN) 1,3500 0,8780 0,6770 0,5740 0,5190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
480
Rezystancja otwartego kanału: 5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 220mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SC-70-6
Producent: ONSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD