FDG6301N
Symbol Micros:
TFDG6301N
Obudowa: SC70-6
Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC-70-6 |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDG6301N RoHS 01.
Obudowa dokładna: SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
480 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ | 480+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3500 | 0,8780 | 0,6770 | 0,5740 | 0,5190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDG6301N
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5575 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 220mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC-70-6 |
| Producent: | ONSEMI |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |