FDG6321C

Symbol Micros: TFDG6321C
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-6
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SC70-6
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDG6321C RoHS 21. Obudowa dokładna: SC70-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9090 0,8200 0,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 500mA
Maksymalna tracona moc: 300mW
Obudowa: SC70-6
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: 2xN/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD