FDG6332C
Symbol Micros:
TFDG6332c
Obudowa: SC-88
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Oodpowiednik: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC-88 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC-88 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N/P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |