FDG6335N
Symbol Micros:
TFDG6335N
Obudowa: SC70-6
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 700mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDG6335N RoHS 35.
Obudowa dokładna: SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0600 | 1,2500 | 0,9600 | 0,8660 | 0,8240 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDG6335N
Obudowa dokładna: SC70-6
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8240 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 700mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SC70-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |