FDG6335N

Symbol Micros: TFDG6335N

180094

TFDG6335N

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: SC70-6

karta katalogowa

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	400mOhm
Maksymalna tracona moc:	300mW
Maksymalny prąd drenu:	700mA
Obudowa:	SC70-6
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Wszystkie parametry

Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDG6335N RoHS Obudowa dokładna: SC70-6 t/r karta katalogowa

Stan magazynowy:

200 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,1700	1,3100	1,0100	0,9100	0,8660

Dodaj do porównywarki Dodaj zapytanie

Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
200 Ilość (wielokrotność: 1)

- +

• Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	400mOhm
Maksymalna tracona moc:	300mW
Maksymalny prąd drenu:	700mA
Obudowa:	SC70-6
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	12V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.