FDG8850NZ

Symbol Micros: TFDG8850NZ
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC70-6
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 750mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SC70-6
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDG8850NZ RoHS 50. Obudowa dokładna: SC70-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1100 1,2800 0,9830 0,8870 0,8440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 750mA
Maksymalna tracona moc: 360mW
Obudowa: SC70-6
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD