FDN304PZ

Symbol Micros: TFDN304pz
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,4A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,4A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD