FDN306P
Symbol Micros:
TFDN306p
Obudowa: SSOT3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
Maksymalna tracona moc: | 500mW |
Obudowa: | SSOT3 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN306P RoHS
Obudowa dokładna: SSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,7310 | 0,5770 | 0,5240 | 0,5070 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN306P RoHS 306.
Obudowa dokładna: SSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,8660 | 0,6220 | 0,5330 | 0,5070 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN306P
Obudowa dokładna: SSOT3
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,5070 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN306P
Obudowa dokładna: SSOT3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,5070 |
Rezystancja otwartego kanału: | 80mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,6A |
Maksymalna tracona moc: | 500mW |
Obudowa: | SSOT3 |
Producent: | Fairchild |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 12V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |