FDN337N
Symbol Micros:
TFDN337n
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDN337N RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2900 | 0,7150 | 0,4750 | 0,3960 | 0,3690 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDN337N
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
5900 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4250 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDN337N
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
159000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3690 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDN337N
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
453000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3690 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDN337N
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
5469000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3690 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |