FDN360P
Symbol Micros:
TFDN360P
Obudowa: SSOT3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 136mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SSOT3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN360P RoHS
Obudowa dokładna: SSOT3
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2900 | 0,8250 | 0,5810 | 0,4930 | 0,4690 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN360P
Obudowa dokładna: SSOT3
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4690 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDN360P
Obudowa dokładna: SSOT3
Magazyn zewnetrzny:
228000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4690 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 136mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | SSOT3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |