FDP2532
Symbol Micros:
TFDP2532
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 48mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDP2532 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 15,9300 | 12,7500 | 11,5000 | 10,8400 | 10,6900 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: FDP2532
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
70 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,6900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 48mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 310W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |