FDP2552

Symbol Micros: TFDP2552
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
N-MOSFET 37A 150V 150W 0.036Ω
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 27A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
250 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0149
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
610 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,1132
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDP2552 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,3309
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 36mOhm
Maksymalny prąd drenu: 27A
Maksymalna tracona moc: 150W
Obudowa: TO220
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT