FDP51N25
Symbol Micros:
TFDP51n25
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 51A |
| Maksymalna tracona moc: | 320W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP51N25
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3740 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3204 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP51N25
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6018 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDP51N25
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1954 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-29
Ilość szt.: 50
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 51A |
| Maksymalna tracona moc: | 320W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |