FDS2582 Fairchild
Symbol Micros:
TFDS2582
Obudowa: SOIC08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 146mOhm; 4,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 146mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDS2582 RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,8200 | 2,4000 | 1,9900 | 1,7700 | 1,6600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS2582
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1883 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 146mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |