FDS4935A

Symbol Micros: TFDS4935a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS4935A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,8100 3,5300 2,8300 2,4300 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS4935A Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7A
Maksymalna tracona moc: 2W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xP-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD