FDS5672

Symbol Micros: TFDS5672
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 23mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 23mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDS5672 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,7900 3,5100 2,8200 2,4200 2,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS5672 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1514
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 23mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD