FDS6690A
Symbol Micros:
TFDS6690a
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6690A RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
| ilość szt. | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2600 | 1,2500 | 0,9880 | 0,9320 | 0,9020 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6690A
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9020 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 11A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |