FDS6699S
Symbol Micros:
TFDS6699s
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,6mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDS6699S RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3800 | 4,1000 | 3,4000 | 2,9800 | 2,8300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 21A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,5W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |