FDS6912A
Symbol Micros:
TFDS6912a
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6912A RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,1800 | 3,0700 | 2,4600 | 2,1100 | 1,9900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS6912A
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 1,6W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |