FDS6912A

Symbol Micros: TFDS6912a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS6912A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS6912A Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD