FDS6912A

Symbol Micros: TFDS6912a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 44mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Maksymalny prąd drenu: 6A
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDS6912A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1700 1,7100 1,5600 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Maksymalny prąd drenu: 6A
Obudowa: SOP08
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD