FDS8880

Symbol Micros: TFDS8880
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 16,3mOhm; 11,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 16,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11,6A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDS8880 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4900 1,2300 1,1000 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS8880 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4900 1,2300 1,1000 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS8880 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2107
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 16,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11,6A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD