FDS8884

Symbol Micros: TFDS8884
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,5A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Fairchild Symbol producenta: FDS8884 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 0,9800 0,7700 0,7130 0,6840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDS8884 Obudowa dokładna: SOP08  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 32mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,5A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD