FDS8949 Fairchild
Symbol Micros:
TFDS8949
Obudowa: SOIC08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 43mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8949-F085;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDS8949 RoHS
Obudowa dokładna: SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3700 | 2,9100 | 2,4000 | 2,1700 | 2,0800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS8949
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDS8949
Obudowa dokładna: SOIC08
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 43mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOIC08 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |