FDT439N

Symbol Micros: TFDT439N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 72mOhm; 6,3A; 3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 72mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,3A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FDT439N RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r  
Stan magazynowy:
3868 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1900 1,7200 1,5700 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Rezystancja otwartego kanału: 72mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,3A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: Fairchild
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD