FDT439N
Symbol Micros:
TFDT439N
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 72mOhm; 6,3A; 3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 72mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDT439N RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
3468 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1900 | 1,7200 | 1,5700 | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDT439N
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDT439N
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 72mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 6,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |