FDT86246
Symbol Micros:
TFDT86246
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 425mOhm; 2A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 425mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDT86246 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7500 | 2,3500 | 1,9500 | 1,7400 | 1,6300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FDT86246
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8893 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 425mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 2,2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |