FDU7N60NZTU
Symbol Micros:
TFDU7n60nztu
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 1,25Ohm; 5,5A; 90W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,25Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDU7N60NZTU RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Stan magazynowy:
70 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5400 | 3,0000 | 2,4800 | 2,2700 | 2,1600 |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FDU7N60NZTU RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5400 | 3,0000 | 2,3900 | 2,2000 | 2,1600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,25Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |