FDV302P
Symbol Micros:
TFDV302p
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 18Ohm; 120mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 18Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 18Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |