FDV304P

Symbol Micros: TFDV304p
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 460mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV304P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
6095 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7870 0,3740 0,2100 0,1600 0,1430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: FDV304P Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
246 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,2002
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 460mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta