FGH40N60SFDTU

Symbol Micros: TFGH40N60sfdtu
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 120nC
Maksymalna moc rozpraszana: 290W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: FGH40N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
94 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 20,0400 16,8500 14,9400 13,9900 13,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ładunek bramki: 120nC
Maksymalna moc rozpraszana: 290W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 120A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,0V ~ 6,5V
Obudowa: TO247
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT