FGH75T65UPD TO247AB
Symbol Micros:
TFGH75T65upd
Obudowa: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
Parametry
| Ładunek bramki: | 578nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 375W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 225A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 150A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 7,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FGH75T65UPD RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
28 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 22,7900 | 20,9800 | 19,8700 | 19,3100 | 18,9900 |
| Ładunek bramki: | 578nC |
| Maksymalna moc rozpraszana: | 375W |
| Maksymalna prąd kolektora w impulsie: | 225A |
| Maksymalny prąd kolektora: | 150A |
| Napięcie przewodzenia (Vgeth): | 4,0V ~ 7,5V |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Napięcie kolektor-emiter: | 650V |
| Napięcie bramka-emiter: | 20V |
| Montaż: | THT |