FMMT458 SOT-23 DIODES
Symbol Micros:
TFMMT458
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT458TA;
Parametry
| Moc strat: | 500mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 225mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
| Moc strat: | 500mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 225mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
FMMT458 GALAXY
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 400V; 225mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT458TA; FMMT458TC;
Producent:
GALAXY
Symbol producenta:
FMMT458 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5150 | 0,3380 | 0,2920 | 0,2690 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)