FMMT493 NPN Medium Power Transistor

Symbol Micros: TFMMT493
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 500mW; 100V; 1A; 150MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FMMT493TA; FMMT493TC; FMMT493-TP (MCCSEMI);
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT493TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 248+ 992+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5610 0,4260 0,3240 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
248
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT493TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
252 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 248+ 992+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5610 0,4260 0,3240 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
252
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT493TC Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3273
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT493TA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT493TA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
1677000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2930
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN