FMMT493ATA

Symbol Micros: TFMMT493ATA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 1200; 500mW; 60V; 1A; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1200
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT493ATA RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2200 0,6480 0,5020 0,4640 0,4440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1200
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta