FMMT558TA

Symbol Micros: TFMMT558
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 300; 500mW; 400V; 150mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 150mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT558TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,7850 0,5500 0,4780 0,4470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 150mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta