FMMT591TA

Symbol Micros: TFMMT591
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 300; 500mW; 60V; 1A; 150MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT591TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1700 0,6380 0,4180 0,3610 0,3330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta