FMMT593TA

Symbol Micros: TFMMT593TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 300; 500mW, 100V; 1A; 50MHz, -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT593TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5000 0,8280 0,6510 0,6030 0,5780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 500mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta