FMMT717TA Diodes
Symbol Micros:
TFMMT717ta
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 806mW; 12V; 2,5A; 110MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 806mW |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 110MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA RoHS 717
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 | 0,7350 | 0,5160 | 0,4480 | 0,4190 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
930000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4197 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: FMMT717TA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
189000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4190 |
| Moc strat: | 806mW |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 110MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |