FMMT723TA DIODES

Symbol Micros: TFMMT723TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 475; 806mW; 100V; 1A; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 806mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
220 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0600 1,2500 0,9610 0,8670 0,8250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMT723TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
420 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0600 1,2500 0,9610 0,8670 0,8250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 806mW
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP