FMMTA42TA

Symbol Micros: TFMMTA42
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 40; 350mW; 300V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 350mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: FMMTA42TA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7040 0,3340 0,1880 0,1430 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 350mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN