FQA32N20C
Symbol Micros:
TFQA32n20c
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 82mOhm; 32A; 204W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 32A |
| Maksymalna tracona moc: | 204W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQA32N20C RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
55 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,6600 | 3,9600 | 3,2600 | 3,0300 | 2,9800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 82mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 32A |
| Maksymalna tracona moc: | 204W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |