FQA70N10 Fairchild
Symbol Micros:
TFQA70n10
Obudowa: TO 3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 23mOhm; 70A; 214W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: FQA70N10 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7000 | 5,7100 | 4,8700 | 4,5900 | 4,5300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQA70N10
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,0722 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: FQA70N10
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
570 szt.
| ilość szt. | 90+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9284 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 70A |
| Maksymalna tracona moc: | 214W |
| Obudowa: | TO 3 |
| Producent: | Fairchild |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |